檢修用IGBT測(cè)試儀-華科智源(推薦商家)

華科智源igbt測(cè)試儀針對(duì) igbt 的各種靜態(tài)參數(shù)而研制的智能測(cè)試系統(tǒng)；建議進(jìn)行高溫測(cè)試，模擬器件使用工況，更為準(zhǔn)確的判斷器件老化程度。自動(dòng)化程度高（按照操作人員設(shè)定的程序自動(dòng)工作），檢修用igbt測(cè)試儀，計(jì)算機(jī)可以記錄測(cè)試結(jié)果，測(cè)試結(jié)果可轉(zhuǎn)化為文本格式存儲(chǔ)，檢修用igbt測(cè)試儀加工，測(cè)試方法靈活（可測(cè)試器件以及單個(gè)單元和多單元的模塊測(cè)試），安全穩(wěn)定（對(duì)設(shè)備的工作狀態(tài)進(jìn)行全程實(shí)時(shí)監(jiān)控并與硬件進(jìn)行互鎖），具有安全保護(hù)功能，檢修用igbt測(cè)試儀廠家，測(cè)試速度方便快捷。
目的和用途該設(shè)備用于功率半導(dǎo)體模塊（igbt、frd、肖特基二*管等）的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，以表征器件的動(dòng)態(tài)特性，通過(guò)測(cè)試夾具的連接，實(shí)現(xiàn)模塊的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試。操作系統(tǒng)、備份、保存、遠(yuǎn)程控制編輯、上傳、故障自檢報(bào)警等基本功能。1.2 測(cè)試對(duì)象igbt、frd、肖特基二*管等功率半導(dǎo)體模塊2.測(cè)試參數(shù)及指標(biāo)2.1開關(guān)時(shí)間測(cè)試單元技術(shù)條件開通時(shí)間測(cè)試參數(shù)：1、開通時(shí)間ton：5～2000ns±3%±3ns2、開通延遲時(shí)間td(on)：5～2000ns±3%±3ns3、上升時(shí)間tr：5～2000ns±3%±3ns4、開通能量： 0.2～1mj±5%±0.01mj1～50mj±5%±0.1mj 50～100mj±5%±1mj100～500mj±5%±2mj5、開通電流上升率di/dt測(cè)量范圍：200-10000a/us6、開通峰值功率pon：10w～250kw
測(cè)試的igbt參數(shù)包括：ices（漏流）、bvces（耐壓）、igesf（正向門*漏流）、igesr（反向門*漏流）、vgeth（門檻電壓／閾值）、vgeon（通態(tài)門*電壓）、vcesat（飽和壓降）、icon（通態(tài)集*漏流）、vf（二*管壓降）、gfs（跨導(dǎo)）、rce（導(dǎo)通電阻）等全直流參數(shù)， 所有小電流指標(biāo)保證1%重復(fù)測(cè)試精度， 大電流指標(biāo)保證2%以內(nèi)重復(fù)測(cè)試精度。(因漏電流是以溫度的二次方的曲線增加)，進(jìn)而使半導(dǎo)體的接口產(chǎn)生大量崩潰，而將此元件完全燒毀。
半導(dǎo)體元件全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)，可以元件在*工作狀態(tài)下的電流及電壓，并測(cè)量重要參數(shù)的數(shù)據(jù)，檢修用igbt測(cè)試儀批發(fā)，再與原出廠指標(biāo)比較，由此來(lái)判定元件的好壞或退化的百分比。每個(gè)電流模塊，都具有*的供電系統(tǒng)，以便在測(cè)試時(shí)，提供內(nèi)部電路及電池組充電之用；01～50ma集電*電壓vces：50～500v±2%±1v。 可選購(gòu)?fù)獠扛邏耗K，執(zhí)行關(guān)閉狀態(tài)參數(shù)測(cè)試如：各項(xiàng)崩潰電壓與漏電流測(cè)量達(dá)2kv。
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