VS3506AE

features  p-channel，-5v logic level control  low on-resistance rds(on) @ vgs=-4.5 v  fast switching  enhancement mode  pb-free lead plating; rohs compliant
v(br)dss drain-source breakdown voltage vgs=0v, id=-250μa -30 -- -- v dss i zero gate voltage drain current vds=-30v,vgs=0v -- -- -1 μa zero gate voltage drain current(tj=125℃) vds=-30v,vgs=0v -- -- -100 μa gss i gate-body leakage current vgs=±25v,vds=0v -- -- ±100 na vgs(th) gate threshold voltage vds=vgs,id=-250μa -1.2 -- -2.5 v rds(on) drain-source on-state resistance ④ vgs=-10v, id=-20a -- 6 8 mω rds(on) drain-source on-state resistance ④ vgs=-4.5v, id=-16a -- 10 13 mω dynamic electrical characteristics @ tj = 25°c (unless otherwise stated) ciss input capacitance vds=-15v,vgs=0v, f=1mhz -- 4725 -- pf coss output capacitance -- 550 -- pf crss reverse transfer capacitance -- 495 -- pf rg gate resistance f=1mhz -- 3.4 -- ω qg total gate charge vds=-15v,id=-20a, vgs=-10v -- 89 -- nc qgs gate-source charge -- 14 -- nc qgd gate-drain charge -- 19 -- nc switching characteristics d(on) t turn-on delay time vdd=-15v, id=-20a, rg=3ω, vgs=-10v -- 182 -- ns r t turn-on rise time -- 262 -- ns d(off) t turn-off delay time -- 1.3 -- us f t turn-off fall time -- 9.8 -- us source- drain diode characteristics@ tj = 25°c (unless otherwise stated) vsd forward on voltage isd=-20a,vgs=0v -- -0.8 -1.2 v rr t reverse recovery time tj=25℃,isd=-20a, vgs=0v di/dt=-300a/μs -- 34 -- ns qrr reverse recovery charge -- 79 -- nc
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