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        精制除去其中雜質,于氧氣氣氛下進行加壓加熱處理,太原氧化鎂晶體,再經水洗、脫水、干燥,于1100℃加熱1小時,制得高純度氧化鎂。mgo晶體是一種巖鹽結構 ,氧化鎂晶體襯底基片,其晶格常數(shù)為 0 .396nm ,禁帶寬度為7.8ev。在電子γ射線輻照條件下 ,mgo晶體吸收光譜中將出現(xiàn) 4.8ev~ 5 .0ev的吸收峰。經1000℃以上高溫灼燒可轉變?yōu)榫w,升至1500℃以上則成死燒氧化鎂或燒結氧化鎂。
        長期以來,氧化鎂單晶以其在電學、磁學、熱學、光學上的優(yōu)異特性以及良好的*腐蝕和絕緣性,被廣泛應用于制作鐵電、磁性、高溫高精密光學薄膜材料,從而在航空、航天、激光、治金、核工業(yè)和傳感器等眾多領域發(fā)揮重要作用。活性氧化鎂在應用領域中作為一種新型高功能精細無機材料,氧化鎂晶體價格,一般是納米微粒的集合體,粒徑大小在1~2000nm之間,吸碘值在120m*以上的氧化鎂,由于其顆粒細微化,因而具有不同于本體材料的熱、光、電、力學和化學等特殊功能。氧化鎂(mgo)是離子化合物,同樣也是離子晶體,因為氧化鎂是由氧離子和鎂離子通過離子鍵結合成的。
        氧化鎂單晶是以高純氧化鎂為原料,在生產高純電熔鎂砂過程產出的高純氧化鎂單晶體,mgo含量在99.90%以上,體積密度大于3.5g/cm3。氧化鎂晶體是由氧(典型的非金屬)和鎂(典型的金屬)構成的氧化物;氧化鎂是離子化合物,都屬于離子晶體。氧化鎂是堿性氧化物,具有堿性氧化物的通性,屬于膠凝材料。白色粉末,熔點為2852℃,沸點為3600℃,相對密度為3.58(25℃)。
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