全國供應IGBT可控硅GD100HFT60C1S斯達正品模塊

使用注意事項
由于igbt模塊為mosfet結構，igbt的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30v。因此因靜電而導致柵極擊穿是igbt失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點：
在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子部分，當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸； 在用導電材料連接模塊驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊； 盡量在底板良好接地的情況下操作。 在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅動信號，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯小電阻也可以抑制振蕩電壓。
此外，在柵極—發射極間開路時，若在集電極與發射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。這時，如果集電極與發射極間存在高電壓，則有可能使igbt發熱及至損壞。
在使用igbt的場合，當柵極回路不正常或柵極回路損壞時(柵極處于開路狀態)，若在主回路上加上電壓，則igbt就會損壞，為防止此類故障，應在柵極與發射極之間串接一只10kω左右的電阻。
在安裝或更換igbt模塊時，應十分重視igbt模塊與散熱片的接觸面狀態和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，在散熱器與igbt模塊間涂抹導熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風扇，當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時將導致igbt模塊發熱，而發生故障。因此對散熱風扇應定期進行檢查，一般在散熱片上靠近igbt模塊的地方安裝有溫度感應器，當溫度過高時將報警或停止igbt模塊工作。
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