創世威納公司(多圖)-磁控濺射裝置

鍍膜設備原理及工藝
前處理（清洗工序）
要獲得結合牢固、致密、無針1孔缺陷的膜層， 必須使膜層沉積在清潔、具有一定溫度甚至是的基片上。為此前處理的過程包括機械清洗(打磨、毛刷水洗、去離子水沖洗、冷熱風刀吹凈)、烘烤、輝光等離子體轟擊等。機械清洗的目的是去除基片表面的灰塵和可能殘留的油漬等*， 并且不含活性離子， 必要時還可采用超聲清洗。烘烤的目的是*清除基片表面殘余的水份， 并使基片加熱到一定的溫度， 很多材質在較高的基片溫度下可以增強結合力和膜層的致密性。基片的烘烤可以在真空室外進行， 也可以在真空室內繼續進行， 以獲得更好的效果。但在真空室內作為提供熱源的電源應有較低的電壓， 否則易于引起放電。輝光等離子體轟擊清洗可以進一步除去基片表面殘留的不利于膜層沉積的成份， 同時可以提高基片表面原子的活性。
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直流濺射法
直流濺射法要求靶材能夠將從離子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰*，從而該方法只能濺射導體材料，磁控濺射裝置，不適于絕緣材料。因為轟擊絕緣靶材時，表面的離子電荷無法中和，這將導致靶面電位升高，外加電壓幾乎都加在靶上，兩*間的離子加速與電離的機會將變小，甚至不能電離，導致不能連續放電甚至放電停止，濺射停止。故對于絕緣靶材或導電性很差的非金屬靶材，須用射頻濺射法（rf）。
直流磁控濺射技術
為了解決陰*濺射的缺陷，人們在20世紀開發出了直流磁控濺射技術，它有效地克服了陰*濺射速率低和電子使基片溫度升高的弱點，因而獲得了迅速發展和廣泛應用。其原理是：在磁控濺射中，由于運動電子在磁場中受到洛侖茲力，它們的運動軌跡會發生彎曲甚至產生螺旋運動，其運動路徑變長，因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數，使等離子體密度*，從而磁控濺射速率得到很大的提高，而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作，降低薄膜污染的傾向；另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的質量。同時，經過多次碰撞而喪失能量的電子到達陽*時，已變成低能電子，從而不會使基片過熱。因此磁控濺射法具有“高速”、“低溫”的優點。該方法的缺點是不能制備絕緣體膜，而且磁控電*中采用的不均勻磁場會使靶材產生顯著的不均勻刻蝕，導致靶材利用率低，一般僅為20%-30%。
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