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氦質譜檢漏的具體方法——背壓法
背壓法是真空系統檢漏中的基礎方法之一，結合了壓力檢漏與真空檢漏兩者的特點。氦質譜檢漏中，背壓法的應用原理也是一樣的，今天就和華爾升智控一起看下氦質譜檢漏方法中的背壓法。
背壓氦質譜檢漏法是一種適用于容積較小被檢件的檢漏方法，例如半導體一類真空密封器件的無損檢漏。它的檢漏過程與其他背壓法一樣包括3個步驟：充壓、凈化、檢漏。
充壓過程中，被檢件在充有高壓氦氣的容器中存放一定時間，使氦氣經漏孔進入被檢件內部，并隨著時間的增長，其內部的充氣壓力及氦分壓會逐漸；進入凈化階段后，用干燥氮氣等沖刷，或通過靜置手段去除吸附在被檢件外表面的氦氣；將被檢件放入真空室并將真空室抽成真空狀態，利用壓差作用使被檢件內部的氦氣流出進入檢漏儀，檢漏儀輸出指示判定漏孔的存在及其漏率。
相信不少人可以看出背壓法不適合用于有大漏孔的被檢件。因為如果漏孔過大，在凈化階段，充入被檢件內部的氦氣會流失得很快，凈化的時間越長，流失得就越嚴重，會導致檢漏儀的輸出指示降低，鋰電氦檢專機維修，造成漏孔漏率很小的假象，甚至檢測不出漏孔。因此在使用背壓氦質譜檢漏法時，除了避免用于大漏孔的被檢件檢漏外，還要注意適當充氣壓力、延長在高壓氦氣中的浸泡時間，同時縮短凈化時間，來提高檢漏靈敏度。
怎么樣影響氦質譜檢漏儀檢測精度
溫度對檢測的影響
對于處于密閉容器的氣體而言，當溫度升高時，其內部的壓力也隨之升高。因而溫度的變化不可避免地成為影響壓力變化的重要因素。一般估計這種影響的范圍大致在溫度每變化1℃引起的壓力變化為0.36%的測量壓力值。因而，隨測試壓力的提高，溫度的影響會變得明顯。
受到檢測容積的影響
在一個特定的泄漏率值里，如果檢測容積*的話，那么相應的壓力降低的速度就越低，因而測量時間需要相應增加。在一些特定的條件下，如果不想方設法減少測量容積，那么可能會無法達到測量需要的度和靈敏度。
單級磁偏轉型氦質譜檢漏儀
在質譜室內有：由燈絲、離化室、離子加速*組成離子源；由外加均勻磁場、擋板及出口縫隙組成分析器；由*柵、收集*及高阻組成收集器；放大靜電計管和冷陰*電離規。
在離化室n內，氣體電離成正離子，在電場作用下離子聚焦成束。并在加速電壓作用下以一定的速度經過加速*s1的縫隙進入分析器。在均勻磁場的作用下，具有一定速度的離子將按圓形軌跡運動，其偏轉半徑可計算。
可見，當b和u為定值時，不同質荷比me-1的離子束的偏轉半徑r不同。儀器的b和r是固定的，調節加速電壓u使氦離子束恰好通過出口縫隙s2，到達收集器d，形成離子流并由放大器放大。使其由輸出表和音響指示反映出來；而不同于氦質荷比的離子束[(me-1)1(me-1)3]因其偏轉半徑與儀器的r值不同無法通過出口縫隙s2 ，所以被分離出來。 (me-1)2=4，即he 的質荷比，除he 之外，c卅很少，可忽略。
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