西門康SKM150GB12VG功率IGBT模塊 廠家直銷 量多從優

igbt(insulated gate bipolar transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由bjt（雙極型三極管）和mos（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有mosfet的高輸入阻抗和gtr的低導通壓降兩方面的優點。gtr飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；mosfet驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。igbt綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。
igbt非常適合應用于直流電壓為600v及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
igbt功率模塊采用ic驅動，各種驅動保護電路，高性能igbt芯片，新型封裝技術，從復合功率模塊pim發展到智能功率模塊ipm、電力電子積木pebb、電力模塊ipem。pim向高壓大電流發展，其產品水平為1200—1800a/1800—3300v，ipm除用于變頻調速外，600a/2000v的ipm已用于電力機車vvvf逆變器。平面低電感封裝技術是大電流igbt模塊為有源器件的pebb，用于艦艇上的導彈發射裝置。ipem采用共燒瓷片多芯片模塊技術組裝pebb，大大降低電路接線電感，提高系統效率，現已開發成功第二代ipem，其中所有的無源元件以埋層方式掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為igbt發展熱點。
大電流高電壓的igbt已模塊化，它的驅動電路除上面介紹的由分立元件構成之外，已制造出集成化的igbt專用驅動電路。其性能更好，整機的可靠性更高及體積更小。
igbt模塊的電壓規格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。其相互關系見下表。使用中當igbt模塊集電極電流增大時，所產生的額定損耗亦變大。同時，開關損耗增大，使原件發熱加劇，因此，選用igbt模塊時額定電流應大于負載電流。特別是用作高頻開關時，由于開關損耗增大，發熱加劇，選用時應該降等使用。
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