電漿清洗機氫去除SiC表面污染物C和O

sic該材料是三代半導體材質，具有高臨界擊穿電場、高導熱性、高載流子飽和漂移速度等特點。它是**半導體功率器件的*方向，在高壓、高溫、高頻、抗輻射半導體器件低損耗的優良性能，是**半導體功率器件的*。
但經傳統濕法處理后的sic表面存在著殘留有c雜質和表面容易被氧化等缺點，使得在sic上不容易形成優良的歐姆接觸和低界面態的mos結構，這嚴重影響了功率器件的性能。電漿清洗機增強金屬**物，化學氣相沉積系統可以在低溫下產生低能離子和高電離度高濃度高活化高純氫等離子體，使得在低溫下除去c或oh-等雜質離成為了可能。
由濕法清洗后和電漿清洗機處理后的rheed圖像，我們發現濕法處理sic表面呈點伏狀，這表明經濕法處理的sic表面不平整，有局部的**。而經過電漿清洗機處理后的rheed圖像成條紋狀，這表明表面非常平整。經傳統濕法處理的sic表面存在的主要污染物為碳和氧。這些污染物在低溫條件下就可以與h原子發生反應，以ch、和h2o的形式從表面去除掉。經過處理后表面的氧的含量比傳統濕法清洗的表面氧含量顯著降低。
我們知道表面存在雜質c是制造半導體mos器件或者歐姆接觸的一大障礙，如果經plasma清洗機等離子體處理后cls的高能尾巴消失，即cc-h污染消失，就會較容易制備高性能的歐姆接觸和mos器件。經等離子體處理后cis的高能端尾巴消失，同時我們發現未經等離子體處理的sic表面cls峰相對與等離子體后的cls遷移了0.4ev，這是由于表面存在c/c-h化合物造成的。
未經過電漿清洗機處理的si-c/si-o譜峰強度之比(面積之比)為0.87。經過處理的si-c/si-o的xps譜峰強度之比(面積之比)為0.21,與沒有經等離子體處理的相比下降了75%。經過濕法處理的表面si-o的含量明顯**經過等離子體處理的表面。高能電子衍射(rheed分析發現等離子處理后的sic表面比傳統濕法處理的sic表面較加平整，而且處理后表面出現了(1x1)結構。
電漿清洗機氫處理可以有效除去表面的碳污染，暴露在空氣中30分鐘后，發現經電漿清洗機處理的sic表面氧的含量能明顯**傳統濕法清洗的表面，經等離子處理的表面抗氧化能力顯著提高，這就為制造歐姆接觸和低界面態的mos器件打下了良好的基礎。
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