直流數字電壓表電路圖-數字電壓-傳感ic電子驅動ic

數字ic后端設計(一)
1. 數據準備。
對于 cdn 的 silicon ensemble而言后端設計所需的數據主要有是foundry廠提供的標準單元、宏單元和i/o pad的庫文件，它包括物理庫、時序庫及網表庫，分別以.lef、.tlf和.v的形式給出。前端的芯片設計經過綜合后生成的門級網表，具有時序約束和時鐘定義的腳本文件和由此產生的.gcf約束文件以及定義電源pad的def（designexchange format）文件。(對synopsys 的astro 而言，數字電壓，經過綜合后生成的門級網表，時序約束文件 sdc是一樣的，pad的定義文件--tdf ， .tf 文件 --technology file， foundry廠提供的標準單元、宏單元和i/opad的庫文件就與fram， cell view， lm view 形式給出(milkway 參考庫 and db， lib file)
2. 布局規劃。
主要是標準單元、i/o pad和宏單元的布局。i/opad預先給出了位置，數字電壓定義，而宏單元則根據時序要求進行擺放，標準單元則是給出了一定的區域由工具自動擺放。布局規劃后，芯片的大小，core的面積，row的形式、電源及地線的ring和strip都確定下來了。如果必要在自動放置標準單元和宏單元之后，直流數字電壓表電路圖，你可以先做一次pna(power network analysis）--ir drop and em .
3. placement -自動放置標準單元。
布局規劃后，宏單元、i/o pad的位置和放置標準單元的區域都已確定，這些信息se（siliconensemble）會通過def文件傳遞給(physicalcompiler)，pc根據由綜合給出的.db文件獲得網表和時序約束信息進行自動放置標準單元，同時進行時序檢查和單元放置優化。如果你用的是pc astro那你可用write_milkway，三位半數字電壓表的設計， read_milkway 傳遞數據。
數字ic后端設計（三)
9. dummy metal的增加。
foundry廠都有對金屬密度的規定，使其金屬密度不要低于一定的值，以防在芯片制造過程中的刻蝕階段對連線的金屬層過度刻蝕從而降低電路的性能。加入dummy metal是為了增加金屬的密度。
10. drc和lvs。
drc是對芯片版圖中的各層物理圖形進行設計規則檢查(*cing ，width)，它也包括天線效應的檢查，以確保芯片正常流片。lvs主要是將版圖和電路網表進行比較，來保證流片出來的版圖電路和實際需要的電路一致。drc和lvs的檢查--eda工具 synopsy hercule*e*r calibre/ cdn dracula進行的.astro also include lvs/drc check commands.
11. tape out。
在所有檢查和驗證都正確無誤的情況下把后的版圖gdsⅱ文件傳遞給foundry廠進行掩膜制造。
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應用驗證是指導ic元器件在系統中的可靠應用的關鍵，*要關注應用系統對器件接口信號的影響，因此無論是采用純軟件還是軟硬件協同的方式進行應用驗證都需要先完成應用系統的pcb工作。本文提出的應用驗證技術方案以基ibis模型在多個平臺進行pcb si(signal integrity)的方式提取出所需的數據，實現對系統應用環境的模擬;在此基礎上通過軟件和軟硬件協同兩種方法來實現數字ic器件的應用驗證。為保證應用驗證的順利進行，對方案中涉及到的ibis建模、pcb si和s參數的提取及等技術進行了研究。
提出的應用驗證技術方案的指導下，以sram的應用驗證為例進行了相關的技術探索。首先對ibis模型建模技術進行了深入研究，并完成了sram以及80c32等相關ic器件的ibis模型建模工作;接著基于ibis模型進行pcb si，模擬了sram的板級應用環境并提取了應用驗證所需的數據;后分別對適用于sram的軟件平臺和軟硬件協同平臺進行了相關設計，并完成了sram的應用驗證。通過對sram的應用驗證，證明了本文所提出的應用驗證技術方案的可行性。