北京艾賽斯可控硅模塊 奧聯供應

可控硅模塊具有體積小、結構相對簡單、功能強等特點，是比較常用的半導體器件之一。可控硅模塊有多種分類方法： （1）按關斷、導通及控制方式分類：可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅（gto），北京艾賽斯可控硅模塊、btg可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。 （2）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。 （3）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形，北京艾賽斯可控硅模塊、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。 （4）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種，北京艾賽斯可控硅模塊。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。 （5）按關斷速度分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。
鑒別可控硅模塊三個極的方法很簡單，根據p-n結的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。很多客戶由于缺乏這方面的相關知識，在鑒別可控硅模塊三個極時會存在很多問題，以下詳細介紹： 陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個p-n結，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通)。 控制極與陰極之間是一個p-n結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在r*10或r*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。 若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。
可控硅模塊和其它半導體器件一樣，其有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。它的出現，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域，成為工業、農業、交通運輸、軍事科研以至商業、民用電器等方面爭相采用的元件。 智能可控硅模塊在各行業的應用廣 泛，如;電解、電鍍、調溫、調光、電焊、蓄電池充放電、直流電機調速、交流電機軟起動、穩壓電源裝置、勵磁等。據有關單位提供的信息來看，智能可控硅模塊主要有以下特點： 1、采用進口玻璃鈍化方芯片，模塊導通壓降小，功耗低，節能效果顯著。 2、控制觸發電路采用進口貼片元器件組裝，全部元器件進行高溫老化篩選，可靠性高。 3、采用陶瓷覆銅工藝，焊接工藝獨特，絕緣強度高，導熱性能好，電流承載能力大，熱循環負載次數是國標的進10倍。 4、控制觸發電路，主電路，導熱底板之間相互絕緣，介電強度≥2500ⅴac 導熱底板不帶電，安全可靠。