高真空磁控濺射鍍膜技術【地震資訊】

真空鍍膜技術作為一種產生特膜層的技術，在現實生產生活中有著廣泛的應用。真空鍍膜技術有三種形式：即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍膜。在這里主要講下磁控濺射鍍膜。
磁控濺射技術在市場中應用非常的廣泛，各行各業物件膜層鍍膜，大多數都是采用磁控濺射技術，磁控濺射技術在真空行業也是非常的受歡迎和追捧。高真空磁控濺射鍍膜是屬于物理氣相沉積（physical vapor deposition，pvd）的一種，一般的濺射法可被用于制備金屬、半導體、絕緣體等多種材料；適應用于鍍制各種單層膜、多層膜、摻雜膜及合金膜；且具有設備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優點。
磁控濺射技術目前得以廣泛的應用 ，是由該技術有別于其它鍍膜方法特點所決定的。其特點可歸納為：
靶材背面和濺射靶表面的結合處理
-靶材和靶面直接做到面接觸是很難的，如果做不到面接觸，接觸電阻將增大，導致離化電場的幅值不夠（接觸電阻增大，接觸面的電場分壓增大），導致鍍膜效果不好；電阻增大導致靶材發熱升溫，降低鍍膜質量。
-靶材和靶面接觸不良，導致水冷效果不好，降低鍍膜質量。
-增加一層特殊導電導熱的軟薄的物質，保證面接觸。
距離可調整
基片和靶材之間的距離可調整，以適應不同靶材的成膜工藝的距離要求。
角度可調
磁控濺射靶頭可調角度，以便針對不同尺寸基片的均勻性，做精準調控。
集成一體化柜式結構
一體化柜式結構優點：
安全性好（操作者不會觸碰到高壓部件和旋轉部件）
占地面積小，尺寸約為：長1100mm×寬780mm（標準辦公室門是800mm寬）（傳統設備大約為2200mm×1000mm），相同面積的工作場地，可以放兩臺設備。
控制系統
采用計算機＋plc兩級控制系統
安全性
-電力系統的檢測與保護
-設置真空檢測與報警保護功能
-溫度檢測與報警保護
-冷卻循環水系統的壓力檢測和流量
-檢測與報警保護
勻氣技術
工藝氣體采用勻氣技術，氣場較均勻，鍍膜較均勻。
基片加熱技術
采用鎧裝加熱絲，由于通電加熱的金屬絲不暴露在真空室內，所以高溫加熱過程中不釋放雜質物質，保證薄膜的純凈度。鎧裝加熱絲放入均溫器里，保證溫常的均勻，然后再對基片加熱。
真空度較高、抽速較快
真空室內外，全部電化學拋光，完全去除表面微觀毛刺叢林（在顯微鏡下可見），沒有微觀藏污納垢的地方，腔體內表面積減少一倍以上，鍍膜較純凈，真空度較高，抽速較快。
綜上所述便是磁控濺射關鍵技術特點。
設備結構及性能
1、單鍍膜室、雙鍍膜室、單鍍膜室＋進樣室、鍍膜室+手套箱
2、磁控濺射靶數量及類型：1 ～ 6 靶，圓形平面靶、矩形靶3、靶的安裝位置：由下向上、由上向下、斜向、側向安裝
3、靶的安裝位置：由下向上、由上向下、斜向、側向安裝
4、磁控濺射靶：射頻、中頻、直流脈沖、直流兼容
5、基片可旋轉、可加熱
6、通入反應氣體，可進行反應濺射鍍膜7、操作方式：手動、半自動、全自動
工作條件
供電 ～ 380v 三相五線制
功率 根據設備規模配置
冷卻水循環 根據設備規模配置
水壓 1.5 ～ 2.5×10^5pa
制冷量 根據扇熱量配置
水溫 18～25℃
氣動部件供氣壓力 0.5～0.7mpa
質量流量控制器供氣壓力 0.05～0.2mpa
工作環境溫度 10℃～40℃
工作濕度 ≤50%
設備主要技術指標
-基片托架：根據供件大小配置。
-基片加熱器溫度：根據用戶供應要求配置，溫度可用電腦編程控制，可控可調。
-基片架公轉速度 ：2 ～100 轉 / 分鐘，可控可調；基片自轉速度：2 ～20 轉 / 分鐘。
-基片架可加熱、可旋轉、可升降。
-靶面到基片距離： 30 ～ 140mm 可調。
-φ2 ～φ3 英寸平面圓形靶 2 ～ 3 支，配氣動靶控板，靶可擺頭調角度。
-鍍膜室的極限真空：6x10-5pa，恢復工作背景真空 7x10-4pa ，30 分鐘左右（新設備充干燥氮氣）。
-設備總體漏放率：關機 12 小時真空度≤10pa。
鵬城半導體技術（深圳）有限公司專注于pvd鍍膜設備,化學氣相沉積c,金剛石涂層,分子束外延mbe等