封裝用IGBT測試儀-華科IGBT測試儀

用于安裝固定試驗回路及單元；主要技術參數要求如下；
?風冷系統；
?可顯示主要電氣回路參數及傳感器測量值；
?可直觀監視試驗過程，封裝用igbt測試儀，并可兼容高溫攝像頭；
?防護等級：ip40。
?面板按鈕可以進行緊急操作
?機柜顏色：ral7035
17）壓接夾具及其配套系統
?工作壓力范圍：5～200kn；分辨率0.1kn
?上下*板不平行度小于20μm
?*板平整度小于10μm
?壓力可連續調節，封裝用igbt測試儀加工，施加壓力平穩，不可出現加壓時壓力過沖
?安全技術要求：滿足gb 19517—2009國家電氣設備安全技術規范；
?測試工作電壓：10kv（整體設備滿足gb 19517—2009標準外，局部絕緣電壓應滿足測試需求）
18）其他輔件
9）尖峰*電容用于防止關斷瞬態過程中的igbt器件電壓過沖。?電容容量200μf?分布電感小于10nh?脈沖電流2ka ?工作溫度室溫～40℃?工作濕度<70% 11）動態測試續流二*管用于防止測試過程中的過電壓。?反向電壓 8000v(2只串聯)?-di/dt大于2000a/μs?通態電流 1200a?壓降小于1v?浪涌電流大于20ka?現今powermosfet(金屬氧化物場效晶體管)及igbt（絕緣柵型場效應晶體管）已成為大功率元件的主流，在市場上居于主導地位。反向恢復時間小于2μs?工作溫度室溫～40℃?工作濕度<70%12）安全工作區測試續流二*管?反向電壓12kv(3只串聯)?-di/dt大于2000a/μs?通態電流1200a?壓降小于1v?浪涌電流大于20ka?反向恢復時間小于2μs?工作溫度室溫～40℃?工作濕度<70%
igbt靜態參數測試部分主要材料技術要求1）閾值電壓測試電路閾值電壓測試電路（僅示出iec標準測試電路）?當元件損毀時，會連帶將其驅動電路上的元件或與其并聯使用的功率元件一并損傷，所以，必須即早發現更換。滿足表格9測試參數要求?低壓開關電源要求：vcc=12v (針對上圖電路)?可調電源：0.1～10v±1%±0.01v；分辨率0.01v?集電*電流測試電路精度：10～50ma±1%±0.5ma；50～200ma±1%±1ma；200～1000ma±1%±2ma；1000～2000ma±1%±5ma；2）集射*截止電壓/集射*截止電流測試電路集射*截止電壓/發射*截止電流測試電路?高壓充電電源：10~2kv連續可調?支撐電容：額定電壓2kv?集電*電流ices：0.01～1ma±3%±0.001ma；1～10ma±2%±0.01ma；10～30ma±1%±0.1ma；30～300ma±1%±0.1ma?集電*電壓vces：200～1500v±2%±1v
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