數(shù)字源表檢驗項目S200型

數(shù)字源表特色：
數(shù)字源表指一種可作為四象限的電壓源或電流源提供的電壓或電流，同時可同步測量電流值或電壓值的測量儀表；當電源時可作為可編程電壓源或可編程電流源；當萬用表時可作為數(shù)字電壓表(電流源,輸出電流為0,測電壓)或數(shù)字電流表(電壓源,輸出電壓為0,測電流)或數(shù)字歐姆表(電流源,輸出電流為一定值,測電壓)；當電子負載時可作為可編程恒壓負載或可編程恒流負載；當電源/測量表組合時給電壓測量電流或給電流測量電壓；
數(shù)字源表—— 五表合一
國產(chǎn)s型數(shù)字源表集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能，輸出電壓達300v電流分辨率10pa，支持四象限工作，因此能廣泛的應用于各種電氣特性測試中:半導體ic或元器件，功率器件，傳感器，有機材料與納米材料等特性測試和分析。
以下是數(shù)字源表的典型應用領域:
納米材料與器件
– 石墨烯
– 碳納米管
– 納米線
– 低功耗納米結構
• 半導體結構
– 晶圓
– 薄膜
• 有機材料與器件
– 電子墨水
– 印刷電子技術
• 能量效率與照明
– led/amoled
– 光伏/太陽電池
– 電池
• 分立器件與無源組件
– 雙引線: 電阻器、二管、齊納二管、led、傳感器
– 三引線: 小信號雙節(jié)型晶體管(bjt)、場效應晶體管 (fet)，等等
• 材料特性分析
–電阻率
–霍爾效應
典型的器件參數(shù)測試如下：
晶體管/整流器：正向電壓(vf)、反向電壓(vr)、反向漏電流(ir)
mosfet/jfet：輸出特性(vds-id)、轉移特性(vgs-id)、導通電阻、擊穿電壓(bvdss,bvdg)、漏電流(idss,igss)
雙性晶體管/igbt：飽和電壓(vcesat)、輸出特性(vce-ic)、擊穿電壓(vceo,vebo,vcbo)、漏電流(iceo,ices,iebo)
三端雙向交流開關/可控硅:閉鎖電壓(vdrm,vrrm)、漏電流(idrm,irrm)、吸池(保持)電流(ih)、閉鎖電流(ii)
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