直插瓷介電容型號齊全-直插瓷介電容-迪一電子物料長期現(xiàn)貨

高壓瓷片電容燒壞的原因介紹
一:潮濕對電參數(shù)惡化的影響。空氣中溫度過高， 會使高壓瓷片電容的表面絕緣電阻下降， 對于半密封結(jié)構(gòu)電容器來說，水分會滲透到電容器的介質(zhì)內(nèi)部使電容器介質(zhì)的絕緣電阻絕緣能力下降。因此，高溫，高濕環(huán)境對瓷片電容的損壞影響較大。
二:銀離子的遷移。無機(jī)介質(zhì)電容器多半采用銀電*，半密封電容器在高溫條件下工作，滲入電容器內(nèi)部的水分子產(chǎn)生電解。產(chǎn)生氧化反應(yīng)，銀離子與氫氧根離子結(jié)合產(chǎn)生氫氧化銀。由于電*反應(yīng)，銀離子遷移不僅發(fā)生在無機(jī)介質(zhì)表面，還擴(kuò)散到無機(jī)介質(zhì)內(nèi)部，引起漏電流*，直插瓷介電容型號齊全，嚴(yán)重時會使兩個銀電*之間完全短路，導(dǎo)致高壓瓷片電容損壞或擊穿。
三:有的高壓瓷片電容，在運(yùn)用測試操作時，電容器投入時的電流過大，無任何無電壓保護(hù)措施，也無串聯(lián)電*器，使電容器過熱，直插瓷介電容，絕緣降低或損壞，如果操作頻繁，也會影響陶瓷電容損壞，甚至炸掉。
四:從單顆瓷片電容分析，電容碰到了強(qiáng)大的電流，導(dǎo)致內(nèi)部材料發(fā)熱，直插瓷介電容原裝現(xiàn)貨，散熱不及時，造成熱擊穿損壞。
同方迪一高壓瓷介電容介紹
我們大部分電容器都是金屬化電容，比如cbb22就是金屬化聚丙稀薄膜電容， cl21屬于金屬化聚酯薄膜電容器，但瓷片電容很特殊，它是以陶瓷材料為介質(zhì)的電容器，在陶瓷基體兩面涂銀層，然后經(jīng)低溫?zé)摄y質(zhì)薄膜作*板而制成，這種電容器*大的特點(diǎn)就是耐壓高，普通的1kv、 2kv很常見，高-些的6kv、10kv也能做到。其容量損耗隨溫度頻率具高穩(wěn)定性，而且特殊的串聯(lián)結(jié)構(gòu)適合于高電壓*長期工作可靠性。所以在高溫、高壓環(huán)境下，瓷片電容都可以正常穩(wěn)定工作。
陶瓷電容和瓷片電容有區(qū)別嘛，同方迪一為你解答
陶瓷電容：陶瓷電容用高介電常數(shù)的電容器陶瓷〈鈦鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質(zhì)，并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電*制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器，直插瓷介電容采購，用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求不高的場合〈包括高頻在內(nèi)〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因?yàn)樗鼈円子诒幻}沖電壓擊穿。
二者聯(lián)系和區(qū)別：瓷片電容的高頻特性好，但電容值*大只能做到0.1uf。瓷片電容也屬于陶瓷電容的一種。瓷片電容的在識別上與電阻的識別方法基本相同，分直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法3種。以上就是同方迪一整理出來的資訊，同方迪一制造陶瓷電容和瓷片電容，為你提供好的cg電容產(chǎn)品。
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