便攜式IGBT測(cè)試儀-華科動(dòng)態(tài)參數(shù)IGBT

4驗(yàn)收和測(cè)試3)驗(yàn)收試驗(yàn)應(yīng)在-10～40℃環(huán)境溫度下進(jìn)行，便攜式igbt測(cè)試儀現(xiàn)貨供應(yīng)，驗(yàn)收完成后測(cè)試平臺(tái)及外部組件和裝置均應(yīng)安裝在買方的位置上。電流 通過(guò)選擇不同檔位電感，滿足0~200a電流輸出需求（10ms）。4)測(cè)試單元發(fā)貨到買方前，賣方應(yīng)進(jìn)行出廠試驗(yàn)。賣方出廠試驗(yàn)詳細(xì)方案應(yīng)提前提交買方評(píng)估，便攜式igbt測(cè)試儀，通過(guò)買方評(píng)估合格后實(shí)施方可視為有效試驗(yàn)。否則，便攜式igbt測(cè)試儀廠家，需按買方提出的修改意見(jiàn)重新制定出廠試驗(yàn)方案，直至買方評(píng)估合格。
什么是大功率半導(dǎo)體元件？其用途為何？
凡是半導(dǎo)體元件如金屬氧化場(chǎng)效晶體管(mosfet)、igbt(insulated gate b.transistor)及triac（可控硅）、scr（晶閘管）、 gto等各型閘流體與二*管(di ode)等，其工作電流與電壓乘積若大于1kw以上，均可屬于大功率的范圍。建議進(jìn)行高溫測(cè)試，模擬器件使用工況，更為準(zhǔn)確的判斷器件老化程度。如下圖片所示。此類元件多用于車船，工廠的動(dòng)力，光電及其他能源的轉(zhuǎn)換上。
技術(shù)要求
3.1整體技術(shù)指標(biāo)
3.1.1 功能與測(cè)試對(duì)象
*1）功能
gbt模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試。
*2）測(cè)試對(duì)象
被測(cè)器件igbt模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)。測(cè)試溫度范圍 tj=25°及125°。
3.1.2 igbt模塊動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)及指標(biāo)
測(cè)試單元對(duì)igbt模塊和frd的動(dòng)態(tài)參數(shù)及其他參數(shù)的定義滿足iec60747-9以及iec60747-2。
以下參數(shù)的測(cè)試可以在不同的電壓等級(jí)、電流等級(jí)、溫度、機(jī)械壓力、回路寄生電感以及不同的驅(qū)動(dòng)回路參數(shù)下進(jìn)行。
便攜式igbt測(cè)試儀-華科動(dòng)態(tài)參數(shù)igbt由深圳市華科智源科技有限公司提供。現(xiàn)代新型igbt大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測(cè)試測(cè)試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性。深圳市華科智源科技有限公司實(shí)力不俗，信譽(yù)可靠，在廣東 深圳 的電子測(cè)量?jī)x器等行業(yè)積累了大批忠誠(chéng)的客戶。華科智源帶著精益求精的工作態(tài)度和不斷的完善*理念和您攜手步入*，共創(chuàng)美好未來(lái)！