通遼*碎太陽能電池板回收來電咨詢
振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：*回收硅片，電池片，*碎太陽能電池板回收，初級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級，庫存，el，不良測試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實驗板，*償還，返工，光伏模塊回收等。
刻蝕工藝
刻蝕目的
將硅片邊緣的帶有的磷去除干凈，避免 pn 結(jié)短路造成并聯(lián)電阻降低。
刻蝕原理
采用干法刻蝕。采用高頻輝光放電反應， 采用高頻輝光放電反應，使反應氣體*成活性粒子，如原子或各種游離基，這些活性粒子擴散到硅片邊緣，在那里與硅進行反應，形成揮發(fā)性生成物*而被去除。
化學公式： cf 4 sio 2 =sif 4 co 2
工藝流程
預抽，主抽，送氣，輝光，抽空，清洗，預抽，主抽 ，充氣。
影響因素
1. 射頻功率
射頻功率過高：等離子體中離子的能量較高會對硅片邊緣造成較大的轟擊損傷，導致邊緣區(qū)域的電性能差從而使電池的性能下降。在結(jié)區(qū)（耗盡層）造成的損傷會使得結(jié)區(qū)復合增加。
射頻功率太低：會使等離子體不穩(wěn)定和分布不均勻，從而使某些區(qū)域刻蝕過度而某些區(qū)域刻蝕不足，導致并聯(lián)電阻下降。
2. 時間
刻蝕時間過長：刻蝕時間越長對電池片的正反面造成損傷影響越大，時間長到一定程度損傷不可避免會延伸到正面結(jié)區(qū)，從而導致?lián)p傷區(qū)域高復合。
刻蝕時間過短：刻蝕不充分，沒有把邊緣鱗去干凈， pn 結(jié)依然有可能短路造成并聯(lián)電阻降低。
4. 壓力
壓力越大，氣體含量越少，參與反應的氣體也越多，刻蝕也越充份。
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pecvd
pe 目的
在硅片表面沉積一層氮化硅減反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，減少反射，氫原子攙雜在氮化硅中附加了氫的鈍化作用。
其化學反應可以簡單寫成 ： sih 4 nh 3 =sin:h 3h 2 。
基本 原理
pecvd 技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰*上，利用輝光放電（或另加發(fā)熱體）使樣品升溫到預定的溫度，然后通入適量的反應氣體，氣體經(jīng)一系列化學反應和等離子體反應，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。 pecvd 方法區(qū)別于其它 cvd 方法的特點在于等離子體中含有大量高能量的電子，它們可以提供化學氣相沉積過程所需的*能。電子與氣相分子的碰撞可以促進氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離過程，生成活性很高的各種化學基團，因而顯著降低 cvd 薄膜沉積的溫度范圍，使得原來需要在高溫下才能進行的 cvd 過程得以在低溫下實現(xiàn)。
基本特征
1. 薄膜沉積工藝的低溫化（ lt; 450 ℃ ）。
2. 節(jié)省能源，降低成本。
3. 提高產(chǎn)能。
4. 減少了高溫導致的硅片中少子壽命衰減。
擴散方式
pe 設(shè)備有兩類：平板式和管式。
按反應方式分為：直接式（島津）和間接式（ roth ＆ rau ）。
直接式：基片位于一個電*上，直接接觸等離子體。
間接式：基片不接觸激發(fā)電*。 在微波激發(fā)等離子的設(shè)備里，等離子產(chǎn)生在反應腔之外，然后由石英管導入反應腔中。在這種設(shè)備里微波只激發(fā) nh3 ，而 sih4 直接進入反應腔。間接 pecvd 的沉積速率比直接的要高很多，這對大規(guī)模生產(chǎn)尤其重要。
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電池片組件回收
（1）剛開始環(huán)節(jié)，層壓機的溫度維持在較低溫度，eva熔融，有優(yōu)良的流通性，可是化學交聯(lián)速率比較慢。進口真空泵對下室真*裝，因此部件內(nèi)部的汽體快速而且非常容易的被吸走。上室維持真空泵，部件沒受工作壓力。
（2）eva干固環(huán)節(jié)。層壓機溫度上升到1個較高溫度，eva產(chǎn)生迅速的化學交聯(lián)反映。下室繼續(xù)保持真*裝，立即排出來干固全過程造成的汽體。一起上室打氣，上下左右室中間的工作壓力差使層壓機中的硫化橡膠層對部件施壓。
（3）完畢環(huán)節(jié)。eva干固進行。起先上室真*裝，移去工作壓力，隨后下室打氣，打開表蓋。針對bipv部件，兩面全是夾層玻璃，而且為了實現(xiàn)工程建筑規(guī)定，片式玻璃的厚度乃至超過5mm?；镜慕^緣層背膜-eva-電池片-eva-夾層玻璃5層封裝加工工藝，此環(huán)節(jié)壓層出現(xiàn)的難題較多。封裝出現(xiàn)的汽泡，挪動等狀況，依據(jù)eva熔化干固基本原理，探求合適封裝的與眾不同加工工藝。依據(jù)具體生產(chǎn)制造必須和必須品牌eva的干固特點按給出方式提升壓層主要參數(shù)。
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